München: – Innovationssprung in der Hochvolt-Transistor-Technologie: Infineon Entwickler-Team bringt weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) in der 3300-V-Spannungsklasse zur Serienreife – Neue SiC-Modulfamilie reduziert Schaltverluste um 90 Prozent und ermöglicht erhebliche Energieeinsparungen beim Antrieb von Zügen, oder bei der Stromerzeugung in Solarparks und Windkraftanlagen – Bundespräsident überreicht Deutschen Zukunftspreis am 27. November an die diesjährigen Preisträgerinnen und Preisträger. Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials […]
Infineon Technologies AG
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