Infineon Technologies AG

1 Beitrag

Infineon mit neuartiger Siliziumkarbid-Lösung für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

München: – Innovationssprung in der Hochvolt-Transistor-Technologie: Infineon Entwickler-Team bringt weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) in der 3300-V-Spannungsklasse zur Serienreife – Neue SiC-Modulfamilie reduziert Schaltverluste um 90 Prozent und ermöglicht erhebliche Energieeinsparungen beim Antrieb von Zügen, oder bei der Stromerzeugung in Solarparks und Windkraftanlagen – Bundespräsident überreicht Deutschen Zukunftspreis am 27. November an die diesjährigen Preisträgerinnen und Preisträger. Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials […]